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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊

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2026-03-03 08:45 來自韓國經(jīng)濟日報

【三星引入全新供電架構(gòu)以降低HBM缺陷率】《科創(chuàng)板日報》3日訊，設(shè)計高效且結(jié)構(gòu)良好的電源分配網(wǎng)絡(luò)正成為HBM行業(yè)面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，三星預(yù)計將于今年開始量產(chǎn)HBM4E，并引入一種全新的供電架構(gòu)——PDN分段技術(shù)。據(jù)悉，采用新的供電網(wǎng)絡(luò)后，HBM4E的金屬電路缺陷相比HBM4減少了97%，IR壓降降低了41%。更低的IR壓降擴大了電壓裕度，從而提高了運行速度并增強了芯片的整體可靠性。 (韓國經(jīng)濟日報)

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2026-03-01 11:48

【博通推出3.5D定制化封裝平臺】《科創(chuàng)板日報》1日訊，博通推出業(yè)界首個3.5D XDSiP定制化封裝平臺，并已開始首次批量生產(chǎn)出貨。其首位客戶為富士通公司，該平臺通過混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)信號密度提升7倍且功耗降至十分之一，單臺設(shè)備可搭載6至12顆HBM4。

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2026-03-01 09:28 來自科創(chuàng)板日報張真

HBM份額爭奪戰(zhàn)打響！三星率先亮出底牌或增大DRAM尺寸

①芯片尺寸的擴大能保證TSV（硅通孔）工藝的穩(wěn)定性，同時便于散熱；
②三星電子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技術(shù)，目前良率約60%；
③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了與HBM3E相同的1b DRAM芯片。

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2026-02-27 15:02 來自 ZDNet

【三星電子擬增大DRAM尺寸以提升HBM4性能】《科創(chuàng)板日報》27日訊，三星電子正集中精力提高1c DRAM的良率，同時搶占HBM4市場份額。具體而言，三星電子決定增大其第六代10nm級DRAM芯片的尺寸，從而同時提升DRAM和HBM4的穩(wěn)定性。 (ZDNet)

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2026-02-26 14:02

【機構(gòu)：漲價效應(yīng)帶動2025年第四季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收成長達29.4%】《科創(chuàng)板日報》26日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于AI應(yīng)用由LLM模型訓(xùn)練延伸至推理，推動CSPs業(yè)者的數(shù)據(jù)中心建置重心由AI Server延伸至General Server，進一步推動存儲器采購重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各類容量的RDIMM，積極釋出追加訂單，帶動Conventional DRAM的合約價大幅上漲，2025年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營收為535.8億美元，較上季度增加29.4%。

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2026-02-25 09:53 來自 ET News

【消息稱三星電子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%】《科創(chuàng)板日報》25日訊，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子內(nèi)部已實現(xiàn)1c DRAM 80%的良率，這是在高溫環(huán)境下（熱測試）取得的最高良率，2025年第四季度其良率約為60-70%，如今已顯著提升，并有望在5月份左右達到90%。業(yè)內(nèi)人士進一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度約為50%。 (ET News)

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2026-02-21 18:20

【SK海力士高盛電話會：所有客戶需求都無法滿足今年存儲價格持續(xù)上漲】財聯(lián)社2月21日電，在2月20日舉行的虛擬投資者會議上，SK海力士向高盛透露了存儲市場的最新動態(tài)。SK海力士在高盛電話會上釋放強烈信號：存儲行業(yè)已全面進入賣方市場。受AI真實需求驅(qū)動及潔凈室空間受限影響，今年存儲價格將持續(xù)上漲。公司透露目前DRAM及NAND庫存僅剩約4周，且沒有任何客戶能完全滿足需求。隨著2026年HBM產(chǎn)能售罄，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的極度短缺正顯著提升供應(yīng)商議價權(quán)，產(chǎn)業(yè)鏈已開啟長期合約談判以鎖定未來供應(yīng)。在AI需求爆發(fā)與供應(yīng)瓶頸的共振下，存儲芯片正全面進入“賣方市場”，海力士明確表示今年所有客戶的需求都無法得到完全滿足，價格上漲已成定局。

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2026-02-19 07:12

財聯(lián)社2月19日電，三星據(jù)稱正就HBM4組件的價格進行談判，預(yù)計價格約為700美元。

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2026-02-13 17:21 來自 ChosunBiz

【為HBM5、HBM6鋪路韓美半導(dǎo)體推出新型寬幅熱壓鍵合設(shè)備】《科創(chuàng)板日報》13日訊，韓美半導(dǎo)體推出新型寬幅熱壓鍵合設(shè)備。據(jù)報道，韓美半導(dǎo)體發(fā)布的新型寬幅熱壓鍵合設(shè)備主要是為下一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM5、HBM6打造。這項技術(shù)相比傳統(tǒng)的高堆疊方式能夠改善功耗，還有利于提升內(nèi)存容量以及帶寬。 (ChosunBiz)

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2026-02-13 12:10

【機構(gòu)：預(yù)計HBM4驗證將于2026年第二季度完成】財聯(lián)社2月13日電，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新HBM產(chǎn)業(yè)研究，隨著AI基礎(chǔ)建設(shè)擴張，對應(yīng)的GPU需求也不斷成長，預(yù)期英偉達Rubin平臺量產(chǎn)后，將帶動HBM4需求。目前三大存儲器原廠的HBM4驗證程序已進展至尾聲，預(yù)計將在2026年第二季陸續(xù)完成。其中，三星憑借最佳的產(chǎn)品穩(wěn)定性，預(yù)期將率先通過驗證，SK海力士、美光隨后跟上，可望形成三大廠供應(yīng)英偉達HBM4的格局。

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2026-02-12 15:50

財聯(lián)社2月12日電，三星預(yù)計2026年HBM收入將增長逾兩倍。

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2026-02-12 14:36

【三星電子股價收漲6.44% 創(chuàng)歷史新高】財聯(lián)社2月12日電，三星電子股價收盤上漲6.44%，創(chuàng)歷史新高。消息面上，三星電子已開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，并向客戶進行商業(yè)發(fā)貨。

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2026-02-12 14:05

【三星電子：已開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4 并向客戶進行商業(yè)發(fā)貨】財聯(lián)社2月12日電，三星電子表示，已向客戶開始進行“頂級性能”HBM4 的商業(yè)發(fā)貨，這是這家韓國芯片巨頭在銷售用于驅(qū)動生成式人工智能所需的高端半導(dǎo)體的競賽中取得的關(guān)鍵突破。

三星周四在一份聲明中表示，已開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4。HBM4E的樣品預(yù)計將于2026年下半年開始提供，而定制版HBM樣品將于2027年開始交付給客戶。聲明稱，與上一代產(chǎn)品相比，采用新型HMB4芯片的“單個堆棧總內(nèi)存帶寬提升了2.7倍”。三星執(zhí)行副總裁兼存儲器開發(fā)部門負責(zé)人Sang Joon Hwang表示：“三星未沿用傳統(tǒng)的成熟設(shè)計，而是大膽采用了最先進的制程工藝”。

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2026-02-12 11:08 來自 TheElec

【退出英偉達HBM4供應(yīng)名單？美光否認(rèn)傳聞：已量產(chǎn)出貨】《科創(chuàng)板日報》12日訊，此前有傳言稱美光可能被排除在英偉達的HBM4供應(yīng)商名單之外，美光首席財務(wù)官馬克·墨菲(Mark Murphy)回應(yīng)稱：“關(guān)于第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)有一些不準(zhǔn)確的報道，但美光已經(jīng)開始量產(chǎn)HBM4?！彼麖娬{(diào)，美光已經(jīng)開始向客戶交付HBM4，預(yù)計第一季度出貨量將大幅提升。 (TheElec)

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2026-02-12 08:59 來自韓國經(jīng)濟日報

【SK海力士發(fā)表HBF與HBM混合架構(gòu) 性能提升高達2.69倍】《科創(chuàng)板日報》12日訊，SK海力士近日通過發(fā)表在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導(dǎo)體大會上的論文，提出了一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)采用了HBM和HBF兩種技術(shù)，公司將8個HBM3E和8個HBF置于英偉達Blackwell旁進行實驗，結(jié)果表明，與單獨使用HBM相比，這種配置可以將每瓦計算性能提升高達2.69倍。 (韓國經(jīng)濟日報)

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2026-02-11 14:50

【三星電子CTO：內(nèi)存強勁需求料持續(xù)到2027年 HBM4客戶反響良好】財聯(lián)社2月11日電，三星電子首席技術(shù)官表示，該公司預(yù)計，市場對內(nèi)存芯片的強勁需求不僅將持續(xù)今年全年，而且還將持續(xù)到明年，因為人工智能推動了強勁的需求。他還重點強調(diào)，三星公司的HBM4芯片顯示出“良好的”制造良率，客戶對其性能表示非常滿意。據(jù)報道，三星計劃在本月晚些時候開始HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)并將其交付給主要客戶。其HBM4芯片使用其1c工藝（第六代10納米級DRAM技術(shù)）制造DRAM單元芯片，同時使用4納米工藝制造基板芯片。基于這些技術(shù)，三星的HBM4芯片實現(xiàn)了高達每秒11.7Gbps的數(shù)據(jù)處理速度，超過了聯(lián)合電子器件工程委員會規(guī)定的8Gbps標(biāo)準(zhǔn)。

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2026-02-11 11:55

【中芯國際趙海軍：HBM缺貨將持續(xù) 但手機、電腦下行趨勢三季度或反轉(zhuǎn)】財聯(lián)社2月11日電，中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在業(yè)績交流會上表示，AI需求在一定時間內(nèi)“永遠無法滿足”?！艾F(xiàn)在大家算力都不夠，因為對AI有宏大設(shè)想，巴不得在一兩年內(nèi)建成未來十年需要的數(shù)據(jù)中心，至于建起來之后要干嘛還沒完全想清楚?！壁w海軍判斷，在這種情況下，業(yè)界還在重投資存儲技術(shù)，HBM缺貨在幾年內(nèi)應(yīng)該會持續(xù)。不過，未來制約HBM產(chǎn)能的將不是前端的晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)，而是后端的測試等環(huán)節(jié)。趙海軍預(yù)測，接下來存儲器產(chǎn)能會增加，廠商買設(shè)備快的能4個月拿到，慢的9個月也能拿到，9個月后就能看到晶圓前端生產(chǎn)產(chǎn)能增加。這些產(chǎn)能不能直接用來做AI數(shù)據(jù)中心所需的HBM，而是會馬上投放到消費類產(chǎn)品上。這時中間通道商手里的囤貨會釋放出來，給到手機、電腦產(chǎn)品，或?qū)⒃诮衲甑谌径葞硐M類產(chǎn)品包括中低端手機市場的反轉(zhuǎn)。

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2026-02-09 20:16 來自財聯(lián)社劉蕊

全線新高！Counterpoint：全球存儲芯片Q1環(huán)比飆升90%

①2026年第一季度，全球內(nèi)存價格環(huán)比飆升了80%至90%，創(chuàng)下前所未有的漲幅紀(jì)錄；
③內(nèi)存芯片盈利能力預(yù)計將達到前所未有的水平，DRAM的營業(yè)利潤率在2025年第四季度已達到60%左右。

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2026-02-09 17:17

財聯(lián)社2月9日電，美光科技盤前跌1.6%。消息面上，英偉達或?qū)衙拦釮BM4排除在Rubin架構(gòu)的首年量產(chǎn)之外。

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2026-02-09 14:59

【機構(gòu)：一季度內(nèi)存價格較2025年第四季度飆升高達90%】財聯(lián)社2月9日電，據(jù)Counterpoint《2月內(nèi)存價格追蹤報告》顯示，截至2026年第一季度，內(nèi)存價格環(huán)比上漲80%–90%，迎來前所未有的創(chuàng)紀(jì)錄暴漲。本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器DRAM價格大幅攀升。此外，第四季度表現(xiàn)相對平穩(wěn)的NAND閃存，在第一季度也同步上漲80%–90%。疊加部分HBM3e產(chǎn)品價格走高，市場正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢。以服務(wù)器級內(nèi)存為例，64GB RDIMM合約價已從第四季度的450美元，飆升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關(guān)口。

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