《科創(chuàng)板日報》12日訊，SK海力士近日通過發(fā)表在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導(dǎo)體大會上的論文，提出了一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)采用了HBM和HBF兩種技術(shù)，公司將8個HBM3E和8個HBF置于英偉達Blackwell旁進行實驗，結(jié)果表明，與單獨使用HBM相比，這種配置可以將每瓦計算性能提升高達2.69倍。 (韓國經(jīng)濟日報)