①芯片尺寸的擴(kuò)大能保證TSV（硅通孔）工藝的穩(wěn)定性，同時(shí)便于散熱； ②三星電子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技術(shù)，目前良率約60%； ③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了與HBM3E相同的1b DRAM芯片。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》3月1日訊 隨著英偉達(dá)Vera Rubin出貨節(jié)點(diǎn)日益臨近，存儲(chǔ)巨頭圍繞HBM4市場(chǎng)份額的霸權(quán)爭(zhēng)奪戰(zhàn)已然打響。
三星率先亮出底牌。據(jù)ZDNet Korea近日?qǐng)?bào)道，三星電子決定增大其第六代10nm級(jí)DRAM芯片的尺寸，從而同時(shí)提升DRAM和HBM4的性能。據(jù)悉，芯片尺寸的擴(kuò)大能保證TSV（硅通孔）工藝的穩(wěn)定性，HBM4由于I/O數(shù)量增加，需要在DRAM中設(shè)置更多的TSV孔。
當(dāng)三星的DRAM擁有更大的可用面積，TSV布局方面即可獲得更大的靈活性，如降低了TSV密度，便于散熱并確?？煽啃?/strong>。
問題在于，增大DRAM尺寸或意味著利潤(rùn)縮水——因?qū)p少每片晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量。此外，三星電子在HBM4核心芯片中采用了領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的1c DRAM技術(shù)，然而1c DRAM的良率仍然只有60%左右，其正集中精力提高良率，同時(shí)搶先為英偉達(dá)大規(guī)模生產(chǎn)HBM4。
不過，三星對(duì)其尖端工藝充滿信心，其在日前舉行的HBM4量產(chǎn)啟動(dòng)儀式上宣稱：“從HBM4開發(fā)之初，我們就設(shè)定了超越JEDEC（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)的性能目標(biāo)”，并且“從量產(chǎn)之初，我們就確保了穩(wěn)定的良率和行業(yè)領(lǐng)先的性能，而無需重新設(shè)計(jì)?！?/p>
資料顯示，JEDEC最初僅將HBM4的性能標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定為8 Gbps，但內(nèi)存供應(yīng)商最近將其提高到11.7 Gbps，并與英偉達(dá)一起進(jìn)行了測(cè)試。
橫向?qū)Ρ葋砜?，針?duì)HBM控制器的基礎(chǔ)芯片，三星采用自家晶圓代工廠的4nm工藝進(jìn)行量產(chǎn)，相比SK海力士采用臺(tái)積電工藝的12nm工藝有了顯著提升。此外，SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了與HBM3E相同的1b DRAM芯片。
在HBM4銷售上，三星已取得些許優(yōu)勢(shì)。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia的報(bào)告，三星電子2025年第四季DRAM市占率達(dá)36.6%，SK海力士以32.9%屈居第二，主要得益于三星第六代高帶寬內(nèi)存HBM4的銷售增長(zhǎng)。
另一方面，SK海力士在量產(chǎn)進(jìn)度上進(jìn)行追趕。據(jù)此前報(bào)道，SK海力士將其位于清州的“HBM4專用工廠”M15X工廠的量產(chǎn)計(jì)劃提前了四個(gè)月，于本月開始量產(chǎn)用于HBM4的1b DRAM晶圓。該工廠初期規(guī)劃約為1萬片，預(yù)計(jì)到今年底將提升至數(shù)萬片。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新HBM產(chǎn)業(yè)研究，預(yù)期英偉達(dá)Rubin平臺(tái)量產(chǎn)后，將帶動(dòng)HBM4需求。目前三大存儲(chǔ)器原廠的HBM4驗(yàn)證程序已進(jìn)展至尾聲，預(yù)計(jì)將在2026年第二季陸續(xù)完成。其中，三星憑借最佳的產(chǎn)品穩(wěn)定性，預(yù)期將率先通過驗(yàn)證，SK海力士、美光隨后跟上，可望形成三大廠供應(yīng)英偉達(dá)HBM4的格局。
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