①2026年第一季度,全球內存價格環(huán)比飆升了80%至90%,創(chuàng)下前所未有的漲幅紀錄; ③內存芯片盈利能力預計將達到前所未有的水平,DRAM的營業(yè)利潤率在2025年第四季度已達到60%左右。
財聯(lián)社2月9日訊(編輯 劉蕊)根據(jù)Counterpoint本月發(fā)布的《內存價格追蹤》報告顯示,2026年第一季度,全球內存價格環(huán)比飆升了80%至90%,創(chuàng)下前所未有的漲幅紀錄。
此次價格上漲的主要原因是通用服務器DRAM價格大幅上漲。此外,在第四季度價格表現(xiàn)相對平靜的NAND芯片,在今年第一季度也出現(xiàn)了80%至90%的同步上漲。同時,部分HBM3e產品同樣出現(xiàn)價格大幅上漲,整個內存市場呈現(xiàn)出全線上揚的趨勢。

以服務器級內存為例,64GB RDIMM的價格從去年第四季度固定合同價450美元飆升至第一季度的900多美元,預計第二季度將突破1000美元大關。
Counterpoint高級分析師Jeongku Choi強調:“對于設備制造商而言,這是雙重打擊——零部件成本上升以及消費者購買力減弱,這可能會導致需求在本季度逐漸放緩。這要求原始設備制造商(OEM)改變采購模式或專注于高端機型,通過為消費者提供更多價值來證明更高價格的合理性?!?/p>
目前,智能手機制造商正在減少設備中DRAM芯片的含量,或者用更具成本效益的四層單元(QLC)固態(tài)硬盤替代三層單元(TLC)固態(tài)硬盤。與此同時,LPDDR4內存的訂單量明顯下降(目前供應短缺),而LPDDR5內存的訂單量則不斷增長,這得益于兼容最新DRAM標準的新型入門級芯片組的推出。
Jeongku Choi進一步指出:
“內存芯片盈利能力預計將達到前所未有的水平。尤其是DRAM的營業(yè)利潤率在2025年第四季度已達到60%左右,這是通用DRAM的利潤率首次超過HBM芯片。2026年第一季度將是DRAM利潤率首次超過歷史峰值的時期。
也就是說,這要么會樹立一個新的常態(tài),要么會設定一個非常高的標準,這個標準現(xiàn)在看起來很穩(wěn)固,但可能會使下一次下行周期(如果真的存在的話)看起來更加糟糕?!?/p>
