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第三代半導(dǎo)體
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第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
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2025-12-19 15:37
【安森美聯(lián)合格羅方德 開發(fā)下一代氮化鎵功率器件】
財聯(lián)社12月19日電,據(jù)安森美官微19日消息,安森美與格羅方德12月19日達(dá)成全新合作協(xié)議,共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵功率器件,合作將從650V器件開始。據(jù)介紹,安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強型硅基氮化鎵工藝,以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器和強化散熱封裝技術(shù),為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場景,提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。
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2025-12-11 08:12
【豐田將在其車載充電系統(tǒng)采用Wolfspeed碳化硅器件】
財聯(lián)社12月11日電,Wolfspeed公司當(dāng)?shù)貢r間12月9日宣布與豐田公司達(dá)成合作,豐田公司將在其車載充電系統(tǒng)采用Wolfspeed車規(guī)級MOSFET,Wolfspeed碳化硅器件將被集成到豐田公司的純電動汽車中。
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2025-12-11 07:15
【江蘇“十五五”規(guī)劃建議:推動量子科技、腦機接口、具身智能等一批前沿性未來產(chǎn)業(yè)形成現(xiàn)實生產(chǎn)力】
財聯(lián)社12月11日電,中共江蘇省委關(guān)于制定江蘇省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十五個五年規(guī)劃的建議發(fā)布,其中提到,培育壯大未來產(chǎn)業(yè)。探索多元技術(shù)路線、典型應(yīng)用場景、可行商業(yè)模式、市場監(jiān)管規(guī)則,加快壯大第三代半導(dǎo)體、氫能、生物制造等成長型未來產(chǎn)業(yè),推動量子科技、腦機接口、具身智能、深海深地、原子級制造、第六代移動通信等一批前沿性未來產(chǎn)業(yè)形成現(xiàn)實生產(chǎn)力。創(chuàng)新監(jiān)管方式,發(fā)展創(chuàng)業(yè)投資,建立健全未來產(chǎn)業(yè)投入增長和風(fēng)險分擔(dān)機制。支持有條件的地方爭創(chuàng)國家級未來產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)。
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2025-12-05 08:12
【盤前題材挖掘】
①北京將建全球首個國家人形機器人賽訓(xùn)基地,人形機器人產(chǎn)業(yè)化持續(xù)加速。②一年可為超大型AI算力中心省3億度電,第三代半導(dǎo)體有望迎來需求爆發(fā)。③全球AI算力爆發(fā)帶動燃?xì)廨啓C需求激增,國內(nèi)企業(yè)有望受益于外溢需求。
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2025-12-05 07:43 來自 財聯(lián)社
一年可為超大型AI算力中心省3億度電 第三代半導(dǎo)體有望迎來需求爆發(fā)
①氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料。若把硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊中,替代傳統(tǒng)電源模塊芯片使用的硅材料,可實現(xiàn)用電損耗降低30%。
②華創(chuàng)證券表示,傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限,高效能需求驅(qū)動氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長。
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2025-12-04 11:16
【九峰山實驗室發(fā)布氮化鎵電源模塊最新成果 一年可為超大型AI算力中心省3億度電】
《科創(chuàng)板日報》4日訊,九峰山實驗室發(fā)布氮化鎵電源模塊最新成果。100萬個該模塊裝入一座容量1吉瓦(10億瓦)的超大型AI算力中心機柜里,一年可省近3億度電,約合2.4億元電費。團隊負(fù)責(zé)人李思超博士說,該成果目前已完成概念驗證,即將開始中試驗證,預(yù)計3-5年內(nèi)量產(chǎn),屆時可滿足千億級市場需求。
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2025-11-19 13:56
【英諾賽科勝訴 兩項核心GaN專利獲國家知識產(chǎn)權(quán)局維持有效】
財聯(lián)社11月19日電,根據(jù)中國國家知識產(chǎn)權(quán)局最新審查決定,全球氮化鎵龍頭英諾賽科(Innoscience)今日正式獲得關(guān)于其兩項核心氮化鎵(GaN)專利有效性的勝利結(jié)果,該決定明確維持英諾賽科專利權(quán)利要求全面有效,駁回了英飛凌(Infineon)提出的無效請求。英飛凌在此案上徹底敗訴。據(jù)悉,英諾賽科已于今年早些時候?qū)τw凌發(fā)起了基于該兩項專利的專利侵權(quán)訴訟。
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2025-11-17 17:52
【半導(dǎo)體龍頭爍科晶體增資 國家軍民融合產(chǎn)業(yè)投資基金、建信投資等斥資8億入股】
財聯(lián)社11月17日電,財聯(lián)社記者11月17日自北京產(chǎn)權(quán)交易所獲悉,山西爍科晶體有限公司增資項目成交,增資方為國家軍民融合產(chǎn)業(yè)投資基金二期有限責(zé)任公司、國調(diào)二期協(xié)同發(fā)展基金股份有限公司、建信金融資產(chǎn)投資有限公司,投資金額分別為5億元、2億元和1億元。爍科晶體成立于2018年10月,是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。(記者 趙毅波)
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2025-11-12 08:30
【SK keyfoundry計劃明年上半年啟動碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)】
財聯(lián)社11月12日電,韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布,正加速開發(fā)碳化硅(SiC)化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)。該公司近期已完成對碳化硅領(lǐng)域關(guān)鍵企業(yè)SK powertech的收購。SK keyfoundry表示,正加速推進(jìn)技術(shù)開發(fā),目標(biāo)在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù),并于2026年上半年啟動碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。
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2025-11-12 08:02
【盤前題材挖掘】
①特斯拉籌備擴建機器人超級工廠,相關(guān)零部件環(huán)節(jié)有望持續(xù)受益。②國內(nèi)首次!腦機接口產(chǎn)品進(jìn)入審批“綠色通道”,行業(yè)或進(jìn)入爆發(fā)前夜。③第三代半導(dǎo)體突破供電瓶頸,有望在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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2025-11-12 08:01 來自 財聯(lián)社
第三代半導(dǎo)體突破供電瓶頸 有望在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域廣泛應(yīng)用
①目前頭部廠商正在持續(xù)推動SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用。
②東方證券指出,展望未來,在AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下,SiC/GaN有望得到更廣泛的應(yīng)用。
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2025-10-31 15:19
【安森美推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體】
財聯(lián)社10月31日電,安森美(onsemi)宣布推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體。據(jù)介紹,對于超高壓器件,安森美的垂直氮化鎵(vGaN)采用GaN-on-GaN技術(shù),使電流能夠垂直流過芯片,而不是沿表面橫向流動。,這一方案降低能量損耗和熱量,損耗減少近50%。目前安森美向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。
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2025-10-22 07:48
【中信建投:伴隨算力需求提升與第三代半導(dǎo)體發(fā)展 未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊】
財聯(lián)社10月22日電,中信建投研報稱,隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更先進(jìn)制程邁進(jìn),芯片尺寸縮小而功率激增,“熱點”問題突出,芯片表面溫度過高會導(dǎo)致安全性和可靠性下降,催生對高效散熱方案的需求。金剛石是理想散熱材料,熱導(dǎo)率可達(dá)2000W/m?K,是銅、銀的4—5倍,也是硅、碳化硅等半導(dǎo)體材料的數(shù)倍至數(shù)十倍,且兼具高帶隙、極高電流承載能力、優(yōu)異機械強度與抗輻射性,在高功率密度、高溫高壓等嚴(yán)苛場景中優(yōu)勢顯著。其應(yīng)用形式包括金剛石襯底、熱沉片及帶微通道的金剛石結(jié)構(gòu),可適配半導(dǎo)體器件、服務(wù)器GPU等核心散熱需求。在制備上,化學(xué)氣相沉積法(CVD)為主流,可生產(chǎn)單晶、多晶、納米金剛石,國內(nèi)外企業(yè)已開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。伴隨算力需求提升與第三代半導(dǎo)體發(fā)展,未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊。
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2025-10-18 17:04 來自 財聯(lián)社 平方
近一個月這些上市公司被“踏破門檻”!固態(tài)電池概念股獲機構(gòu)組團調(diào)研,機構(gòu)來訪接待量居前的個股名單一覽
①梳理近一個月機構(gòu)來訪接待量超70家的上市公司名單(附表)。容百科技、精智達(dá)、當(dāng)升科技位列前三;
②固態(tài)電池概念股容百科技、當(dāng)升科技,以及精智達(dá)、帝科股份、漢鐘精機、聚燦光電、聞泰科技等半導(dǎo)體芯片相關(guān)概念股均“榜上有名”。
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2025-09-26 11:21
【晶盛機電:首條12英寸碳化硅襯底加工中試線正式通線】
財聯(lián)社9月26日電,據(jù)晶盛機電官微消息,9月26日,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線,至此,浙江晶瑞SuperSiC實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā),100%國產(chǎn)化。
晶盛機電
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2025-09-12 13:01
【賽晶科技:賽晶半導(dǎo)體與三安半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議】
財聯(lián)社9月12日電,賽晶科技在港交所公告,9月12日,公司旗下子公司賽晶亞太半導(dǎo)體科技(浙江)有限公司(簡稱“賽晶半導(dǎo)體”)與湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(簡稱“三安半導(dǎo)體”)簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,正式建立全面戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。賽晶半導(dǎo)體主要從事研發(fā)及制造功率半導(dǎo)體器件。三安半導(dǎo)體是三安光電(600703)的全資子公司,擁有碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造服務(wù)平臺。目前,三安半導(dǎo)體的8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線已通線。三安半導(dǎo)體將根據(jù)賽晶半導(dǎo)體的需求,確保穩(wěn)定及時地向賽晶半導(dǎo)體供應(yīng)產(chǎn)品;賽晶半導(dǎo)體在三安半導(dǎo)體的生產(chǎn)計劃中享有優(yōu)先供應(yīng)權(quán)。雙方將共同評估市場增長潛力,制訂產(chǎn)能擴展計劃。
三安光電
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2025-09-11 18:13 來自 科創(chuàng)板日報
碳化硅龍頭破產(chǎn)風(fēng)波后開啟重組 200毫米新品開啟大規(guī)模商用
①此前,公司在初步向部分客戶提供200毫米碳化硅產(chǎn)品之后,市場反響積極。
②當(dāng)?shù)貢r間9月8日,Wolfspeed宣布,公司重組計劃已獲得法院批準(zhǔn),預(yù)計將在未來數(shù)周內(nèi)完成重整程序。
③英偉達(dá)計劃在新一代Rubin處理器中,把CoWoS中間基板材料換成碳化硅。
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2025-09-11 15:08 來自 證券時報
【W(wǎng)olfspeed宣布200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用】
財聯(lián)社9月11日電,全球碳化硅廠商Wolfspeed公司宣布,公司200mm碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。此前,公司在初步向部分客戶提供200mm碳化硅產(chǎn)品之后,市場反響積極且效益顯著。 (證券時報)
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2025-09-06 16:19
【天科合達(dá):年初即實現(xiàn)導(dǎo)電型SiC襯底累計百萬片級的出貨突破】
財聯(lián)社9月6日電,據(jù)天科合達(dá)官方消息稱,公司2025年初即實現(xiàn)導(dǎo)電型SiC襯底累計百萬片級的出貨突破,另外在“上車”應(yīng)用方面也不斷取得突破進(jìn)展,公司正成為推動Si基功率芯片升級為SiC功率芯片,實現(xiàn)主驅(qū)規(guī)?;娲闹匾α?。在實現(xiàn)碳化硅襯底規(guī)?;慨a(chǎn)的基礎(chǔ)上,充分發(fā)揮技術(shù)整合優(yōu)勢,成功實現(xiàn)6英寸650V、1200V及1700V等多電壓等級碳化硅外延片的規(guī)?;?yīng),并已獲得多家國內(nèi)外頭部企業(yè)8英寸外延中小批量訂單。
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2025-09-05 13:05
【碳化硅概念持續(xù)走強 天岳先進(jìn)等多股漲停】
財聯(lián)社9月5日電,午后碳化硅概念持續(xù)走強,天岳先進(jìn)、科創(chuàng)新材漲停,此前露笑科技、天通股份、中恒電氣漲停,晶盛機電、三安光電、天富能源、東尼電子漲幅靠前。消息面上,為提升性能,英偉達(dá)在新一代Rubin處理器的開發(fā)藍(lán)圖中,計劃把CoWoS先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的中間基板材料,由硅換成碳化硅(SiC)。
ST東尼
+0.68%
晶盛機電
+1.76%
天通股份
+9.97%
天岳先進(jìn)
-1.23%
科創(chuàng)新材
+3.17%
露笑科技
+0.91%
天富能源
+1.20%
三安光電
+0.54%
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