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第三代半導(dǎo)體
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第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
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全部內(nèi)容
2025-12-05 07:43 來自 財聯(lián)社
①氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料。若把硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊中,替代傳統(tǒng)電源模塊芯片使用的硅材料,可實現(xiàn)用電損耗降低30%。
②華創(chuàng)證券表示,傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限,高效能需求驅(qū)動氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長。
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2025-11-12 08:01 來自 財聯(lián)社
①目前頭部廠商正在持續(xù)推動SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用。
②東方證券指出,展望未來,在AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下,SiC/GaN有望得到更廣泛的應(yīng)用。
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2025-10-18 17:04 來自 財聯(lián)社 平方
①梳理近一個月機構(gòu)來訪接待量超70家的上市公司名單(附表)。容百科技、精智達(dá)、當(dāng)升科技位列前三;
②固態(tài)電池概念股容百科技、當(dāng)升科技,以及精智達(dá)、帝科股份、漢鐘精機、聚燦光電、聞泰科技等半導(dǎo)體芯片相關(guān)概念股均“榜上有名”。
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2025-09-11 18:13 來自 科創(chuàng)板日報
①此前,公司在初步向部分客戶提供200毫米碳化硅產(chǎn)品之后,市場反響積極。
②當(dāng)?shù)貢r間9月8日,Wolfspeed宣布,公司重組計劃已獲得法院批準(zhǔn),預(yù)計將在未來數(shù)周內(nèi)完成重整程序。
③英偉達(dá)計劃在新一代Rubin處理器中,把CoWoS中間基板材料換成碳化硅。
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