據(jù)西安電子科技大學官方消息，近日，郝躍院士張進成教授團隊的最新研究在這一核心難題上實現(xiàn)了歷史性跨越——他們通過將材料間的“島狀”連接轉(zhuǎn)化為原子級平整的“薄膜”，使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。

基于這項創(chuàng)新的氮化鋁薄膜技術(shù)，研究團隊制備出的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段分別實現(xiàn)了42 W/mm和20 W/mm的輸出功率密度。這一數(shù)據(jù)將國際同類器件的性能紀錄提升了30%到40%，是近二十年來該領(lǐng)域最大的一次突破。這意味著，在芯片面積不變的情況下，裝備探測距離可以顯著增加；對于通信基站而言，則能實現(xiàn)更遠的信號覆蓋和更低的能耗。更深遠的影響在于，它為推動5G/6G通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等未來產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，儲備了關(guān)鍵的核心器件能力。

第一創(chuàng)業(yè)證券郭強指出，英偉達更新發(fā)布了800伏直流架構(gòu)白皮書。未來的數(shù)據(jù)中心電源將主要采用800V直流供電，和現(xiàn)有供電方案相比，變壓器由傳統(tǒng)的線圈變壓改成了以電子電子技術(shù)為主的固態(tài)變壓器，最要依靠更高端的氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）功率半導體器件進行電力轉(zhuǎn)換。按照英偉達CEO在今年二季度業(yè)績分析師會議上的預計，2030年AI基礎設施支出可能達到3~4萬億美元，是2025年預計投資的5倍以上，如果考慮AI芯片升級則需要的功耗會更高，因此將帶來功率器件需求的快速增長。

據(jù)財聯(lián)社主題庫顯示，相關(guān)上市公司中：

士蘭微Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊出貨量累計達2萬顆，第Ⅳ代SiC模塊已送客戶評測。

晶方科技投資的以色列VisIC公司作為全球領(lǐng)先的第三代半導體GaN器件設計公司，其正積極與國際知名廠商合作，共同開發(fā)800V及以上高功率主驅(qū)動逆變器模塊。