《科創(chuàng)板日報》12月1日訊 伴隨谷歌第七代TPU的崛起，HBM市場需求或持續(xù)增長。

據(jù)韓國《朝鮮日報》等媒體報道，三星電子和SK海力士已成為谷歌TPU供應鏈中的關(guān)鍵參與者。其中，SK海力士或成為谷歌第七代TPU內(nèi)部HBM3E 8層芯片的首選供應商，并將獨家為第七代改進型產(chǎn)品（TPU 7e）提供HBM3E 12層芯片，使之具備更高的能效。

KB證券認為，谷歌通過TPU擴展其AI生態(tài)系統(tǒng)，或增加三星電子尖端晶圓代工廠的內(nèi)存供應量，并提高其產(chǎn)能利用率。該機構(gòu)指出，谷歌第七代TPU預計將采用HBM3E，而第八代TPU預計將采用HBM4，因此三星電子明年的HBM供應量將比上一年翻一番以上。

韓國投資證券分析師預測，今年SK海力士將占谷歌TPU中HBM供應量的56.6%，三星電子將占43.4%。Meritz Securities則認為，SK海力士的市場份額將達到60%。

此前，HBM市場素來圍繞英偉達GPU運轉(zhuǎn)，而TPU的出現(xiàn)或?qū)㈩嵏泊烁窬帧ＥcGPU類似，每個TPU內(nèi)部集成6-8個HBM模塊，因此TPU的擴展將直接決定未來HBM需求。而除了TPU外，韓國投資證券指出，來自Meta和亞馬遜AWS的定制芯片也有望推動HBM市場增長。

HBM需求的增長則有望繼續(xù)帶動DRAM價格，KB證券表示，2026年服務器采用的DRAM需求將比上一年增長35%，但供應量卻最多增長20%，意味著其價格上漲勢頭可能加劇。

基于上述趨勢，DRAM和NAND Flash原廠的重心正逐漸轉(zhuǎn)變，從單純擴產(chǎn)轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價值產(chǎn)品。

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2025年DRAM的資本支出預計為537億美元，預計在2026年進一步成長至613億美元，同比增長約14%。2025年NAND Flash的資本支出預計為211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，同比增長約5%。

國金證券指出，AI驅(qū)動存儲需求快速攀升，存儲原廠資本開支還未進入擴張周期。當前行業(yè)無塵室空間已接近瓶頸，各大DRAM廠商中僅三星與SK 海力士仍具備有限的擴線空間，即使資本開支上修，2026年產(chǎn)能增量亦有限。

在新增產(chǎn)能有限的前提下，中泰證券表示，受AI推理需求爆發(fā)的驅(qū)動，判斷2026年全年存儲將處于供需偏緊的狀態(tài)。目前除了主流DRAM、NAND價格上漲外，利基存儲DRAM、2DNAND（包括SLC、MLCNAND）和NORFlash自25Q3全面漲價。存儲超級大周期，驅(qū)動存儲公司Q3開始盈利能力明顯提升，預計隨著后續(xù)繼續(xù)漲價，盈利能力有望持續(xù)提升。