《科創(chuàng)板日報》11月21日訊（編輯 宋子喬） 科技股拋售卷土重來。今日，韓國股市兩大存儲龍頭大跌，SK海力士股價下跌8.76%，三星電子跌5.77%。A股市場，中韓半導體ETF（513310）單日大跌6.63%。

消息面上，SK海力士與三星電子均計劃在明年提高部分存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量。

據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道，韓國內(nèi)存芯片巨頭SK海力士計劃明年將第六代10納米DRAM（1c DRAM）月產(chǎn)能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，占其DRAM總產(chǎn)能的三分之一以上。

1c DRAM是一種尖端的通用DRAM，并非用于HBM，而是用于制造最新的通用DRAM，例如 DDR5、低功耗DDR（LPDDR）和GDDR7。AI推理主要依賴于先進的通用DRAM，其能效更高、成本更低。報道稱，擴產(chǎn)后的1c DRAM將主要用于生產(chǎn)GDDR7和SOCAMM2等產(chǎn)品，以滿足英偉達等大型科技公司的訂單需求。

與此同時，該公司即將用于英偉達HBM4的10nm第五代DRAM的產(chǎn)能擴張也在進行中，位于韓國忠清北道清州園區(qū)的全新工廠“M15X”將于今年年底投產(chǎn)，該工廠將配備一條1b DRAM生產(chǎn)線，月均進料量為6萬片晶圓。

鑒于SK海力士在DRAM領(lǐng)域的積極投資步伐，業(yè)內(nèi)人士預測，該公司今年的設(shè)施投資額預計約為25萬億韓元，而明年將輕松超過30萬億韓元。

隨著AI推理需求日益增長，比HBM更具成本效益的尖端通用DRAM的需求水漲船高。

據(jù)ETNews此前報道，為重奪DRAM市場領(lǐng)導地位，三星計劃到2026年底將其10納米第六代DRAM（1c DRAM）的月產(chǎn)能擴大到20萬片晶圓。

除了供給端將來的變化，龍頭股價巨震與市場情緒不無關(guān)系。盡管英偉達強勁財報一度提振了投資者信心，加之谷歌圖像生成模型Nano Banana迎來重磅更新，但市場對人工智能相關(guān)股票估值過高的擔憂仍在加劇。

周四，美股三大指數(shù)上演過山車式行情，最終悉數(shù)收跌，道瓊斯指數(shù)跌0.84%，標普500指數(shù)跌1.56%，納斯達克綜合指數(shù)跌2.15%；大型科技股集體下挫，英偉達跌超3%，AMD跌超7%，甲骨文跌超6%，特斯拉、亞馬遜跌超2%，微軟跌超1%。