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又一存儲(chǔ)龍頭業(yè)績(jī)大增! 瀾起科技2025年凈利同比預(yù)增超50%
原創(chuàng)
2026-01-16 20:30 星期五
科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)記者 郭輝
①瀾起科技公告稱,經(jīng)財(cái)務(wù)部門(mén)初步測(cè)算,公司預(yù)計(jì)2025年度歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為21.50億元?23.50億元,較上年同期增長(zhǎng)52.29%~66.46%;
②瀾起科技表示,受益于AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì),行業(yè)需求旺盛,該公司互連類(lèi)芯片出貨量顯著增加。

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》1月16日訊(記者 郭輝)又一存儲(chǔ)龍頭預(yù)告業(yè)績(jī)。

瀾起科技公告稱,經(jīng)財(cái)務(wù)部門(mén)初步測(cè)算,公司預(yù)計(jì)2025年度歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為21.50億元-23.50億元,較上年同期增長(zhǎng)52.29%-66.46%。實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)19.20億元-21.20億元,較上年同期增53.81%-69.83%。

關(guān)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)原因,瀾起科技表示,受益于AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì),行業(yè)需求旺盛,該公司互連類(lèi)芯片出貨量顯著增加,推動(dòng)公司2025年度經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)較上年同期實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。

2025年,DDR5內(nèi)存接口芯片滲透顯著提升,其內(nèi)部子代持續(xù)迭代。2025第三季度,瀾起科技DDR5第三子代RCD芯片銷(xiāo)售收入首次超過(guò)第二子代產(chǎn)品,DDR5第四子代RCD芯片開(kāi)始規(guī)模出貨。

根據(jù)市場(chǎng)機(jī)構(gòu)報(bào)告,DDR6內(nèi)存模組有望在2029年前后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。目前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC正在開(kāi)展對(duì)DDR6相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的討論,由于傳輸速率進(jìn)一步提升,DDR6內(nèi)存模組預(yù)計(jì)需要更多及更復(fù)雜的內(nèi)存互連芯片,或?qū)⑼苿?dòng)內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大。

從AI需求中受益最為顯著的產(chǎn)業(yè)當(dāng)屬存儲(chǔ)IC,Omdia據(jù)其最新市場(chǎng)分析,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將在2026年增長(zhǎng)約90%,計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在2026年將出現(xiàn)41.4%的同比增長(zhǎng),總額超5000億美元。

瀾起科技董事會(huì)秘書(shū)傅曉此前在業(yè)績(jī)會(huì)上表示,AI產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)將推動(dòng)下游內(nèi)存模組需求量的增長(zhǎng),該公司內(nèi)存互連芯片與全球內(nèi)存模組的出貨量呈正相關(guān),所以內(nèi)存模組需求的增長(zhǎng)將推動(dòng)內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)容;同時(shí),AI應(yīng)用的快速發(fā)展對(duì)內(nèi)存帶寬的要求越來(lái)越高,從而有助于推動(dòng)內(nèi)存互連相關(guān)新產(chǎn)品的應(yīng)用。

瀾起科技在2025年第四季度接受機(jī)構(gòu)調(diào)研,展望未來(lái)兩年,從產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)來(lái)看,AI將持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)需求的增長(zhǎng),DDR5持續(xù)滲透及子代迭代有助于維系和提升公司相關(guān)產(chǎn)品的平均銷(xiāo)售價(jià)格及毛利率;此外,針對(duì)公司的互連類(lèi)芯片新產(chǎn)品,包括PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD、MXC芯片等,行業(yè)生態(tài)在持續(xù)完善,其價(jià)值也在逐步獲得終端客戶的認(rèn)可,新產(chǎn)品的逐步上量將對(duì)公司業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極影響。

瀾起科技已于2025年1月推出DDR5第二子代MRCD/MDB芯片并向客戶送樣,支持速率為12800MT/s,相比第一子代MRDIMM速率提升45%,是第三子代RDIMM(支持速率6400MT/s)的兩倍。據(jù)介紹,AI對(duì)內(nèi)存帶寬更高的需求將推動(dòng)MRDIMM在下游的應(yīng)用和滲透率提升。

此外,瀾起科技目前已成功研發(fā)數(shù)據(jù)速率為32GT/s的SerDes IP,并應(yīng)用于PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer。該公司還進(jìn)一步攻克數(shù)據(jù)速率為64GT/s 的 SerDes IP,并應(yīng)用于PCIe6.x/CXL3.x Retimer 產(chǎn)品。目前在研的PCIe7.0 SerDes IP支持速率達(dá)128GT/s。

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