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2025年12月17日 08:42:53
三星公布實現(xiàn)10納米以下DRAM新方法
在舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，三星推出了一款“高熱穩(wěn)定性非晶氧化物半導體晶體管”，可以集成到單片CoP DRAM架構中，或應用于10納米以下的0a和0b DRAM。 (TheElec)
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