財(cái)聯(lián)社12月16日訊（編輯 卞純）在AI引爆存儲(chǔ)需求以及行業(yè)產(chǎn)能調(diào)整等多重因素的影響下，過去幾個(gè)月，全球“存儲(chǔ)荒”愈演愈烈。

而全球存儲(chǔ)三巨頭之一、韓國SK海力士的一份意外曝光的內(nèi)部分析文件，揭示了存儲(chǔ)市場供需嚴(yán)重失衡的局面。SK海力士警告稱，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）供應(yīng)短缺狀況將持續(xù)至2028年。

這描繪了一幅比大多數(shù)主流投行機(jī)構(gòu)的預(yù)測更為嚴(yán)峻的畫面。此前，包括瑞銀、摩根大通、野村證券在內(nèi)的國際大行均預(yù)測，DRAM短缺將持續(xù)至2027年。

瑞銀上周預(yù)計(jì)，DRAM供應(yīng)短缺預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年第一季度，其中DDR內(nèi)存的需求料增長20.7%，遠(yuǎn)超供應(yīng)增速。NAND閃存的短缺態(tài)勢則預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年第三季度。

海力士的內(nèi)部分析顯示，到2028年，主要面向消費(fèi)電子終端的通用型DRAM的供應(yīng)增長將持續(xù)受限，難以滿足市場需求。

這意味著，消費(fèi)者將需要為購買PC、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品花費(fèi)更多的錢。目前，內(nèi)存漲價(jià)壓力已經(jīng)傳導(dǎo)至下游廠商。根據(jù)最近的消息，面對存儲(chǔ)芯片快速暴漲的壓力，美國計(jì)算機(jī)硬件制造商戴爾（Dell）計(jì)劃于12月17日起全面提高商用產(chǎn)品線的售價(jià)。漲價(jià)幅度大致在10%-30%之間，具體取決于電腦配置的存儲(chǔ)參數(shù)。

據(jù)社交媒體平臺(tái)X用戶@BullsLab上周分享的截圖，SK海力士預(yù)測，除了高帶寬內(nèi)存（HBM）和小型化壓縮附加內(nèi)存模組（SOCAMM）外，到2028年通用型DRAM的產(chǎn)能增長將持續(xù)受限。這是因?yàn)?，頭部存儲(chǔ)廠商已經(jīng)將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到滿足人工智能服務(wù)器的需求上，面向消費(fèi)市場的產(chǎn)能出現(xiàn)顯著增長的可能性很低。

有報(bào)道稱，SK海力士等存儲(chǔ)廠商已采取保守的產(chǎn)能擴(kuò)張策略，相較于大幅提高DRAM產(chǎn)量，它們更注重維持盈利水平。與此同時(shí)，服務(wù)器用DRAM的需求正呈指數(shù)級(jí)增長，預(yù)計(jì)明年的增長勢頭還將更加猛烈。

SK海力士還預(yù)計(jì)，AI服務(wù)器在整體服務(wù)器市場的份額將從2025年的38%飆升至2030年的53%，帶動(dòng)DRAM需求強(qiáng)勁增長。

至于NAND閃存，SK海力士的分析顯示，由于服務(wù)器端（利潤空間更大）的需求激增，消費(fèi)級(jí)NAND閃存的供應(yīng)增長也可能落后于需求。