100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費。這是九峰山實驗室新發(fā)布的科技成果——氮化鎵電源模塊。團隊負責人李思超博士說，該成果目前已完成概念驗證，即將開始中試驗證，預計3-5年內量產，屆時可滿足千億級市場需求。

氮化鎵是第三代半導體材料。若把硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊中，替代傳統(tǒng)電源模塊芯片使用的硅材料，可實現用電損耗降低30%，還能使模塊體積縮小30%，成本也降至硅的一半。華創(chuàng)證券表示，傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限，高效能需求驅動氮化鎵等第三代半導體高速增長。

據財聯社主題庫顯示，相關上市公司中：

海特高新參股公司華芯科技已建成由國家發(fā)改委立項建設的國內首條6吋化合物半導體生產線，芯片制程涵蓋砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等第二、三代化合物半導體。

欣銳科技在第三代寬禁帶半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）方向已積累了深厚的開發(fā)經驗，全面將碳化硅（SiC）模組應用于車載電源產品。