《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》2日訊，三星電子考慮將支撐其HBM3E內(nèi)存供應(yīng)的1a nm DRAM產(chǎn)能削減30~40%，通過制程轉(zhuǎn)換提升適用于通用內(nèi)存產(chǎn)品的1b nm產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)利潤的最大化。 (DealSite)