財(cái)聯(lián)社3月5日訊（編輯 胡家榮）今日早盤韓國(guó)股市上演強(qiáng)勁V型反轉(zhuǎn)。韓國(guó)綜合股價(jià)指數(shù)KOSPI高開3.1%后持續(xù)拉升，盤中漲幅一度擴(kuò)大至12%，其中三星電子和SK海力士均漲超11%。

受韓股情緒修復(fù)帶動(dòng)，港股市場(chǎng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)的同步走強(qiáng)。截至發(fā)稿，兆易創(chuàng)新(03986.HK)漲5.88%、瀾起科技(06809.HK)漲4.72%。

尤為引人注目的是，在港股上市的杠桿型ETF產(chǎn)品表現(xiàn)突出——南方東英兩倍做多SK海力士(07709.HK)與南方東英兩倍做多三星電子(07747.HK)漲幅均超過(guò)15%。

恐慌情緒退潮 優(yōu)質(zhì)科技資產(chǎn)成資金避風(fēng)港

市場(chǎng)分析指出，此輪快速修復(fù)行情反映出：當(dāng)短期恐慌情緒緩解后，此前因非理性拋售被顯著低估的優(yōu)質(zhì)科技資產(chǎn)迅速成為資金回流核心標(biāo)的。作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè)的估值修復(fù)具有顯著風(fēng)向標(biāo)意義，印證行業(yè)基本面拐點(diǎn)正在形成。

漲價(jià)實(shí)錘：DRAM價(jià)格談判落地，季度漲幅實(shí)現(xiàn)翻倍

據(jù)3月4日行業(yè)媒體報(bào)道，三星電子已于2月與主要客戶完成2026年一季度DRAM供貨價(jià)格最終談判。服務(wù)器、PC及移動(dòng)端通用DRAM產(chǎn)品均價(jià)較2025年四季度上漲約100%，部分客戶及特定品類漲幅甚至突破100%。業(yè)內(nèi)知情人士透露，談判已全面收尾，部分海外客戶已完成付款流程。

值得注意的是，相較于今年1月初步協(xié)商的70%漲幅，最終定價(jià)在一個(gè)月內(nèi)再度提升約30個(gè)百分點(diǎn)。同時(shí)，行業(yè)供貨談判周期已從傳統(tǒng)年度合同大幅壓縮至季度，部分品類甚至需按月動(dòng)態(tài)調(diào)整。這一機(jī)制變革深刻反映出當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需矛盾的嚴(yán)峻性與緊迫性。

本輪漲價(jià)并非單一廠商行為。報(bào)道援引產(chǎn)業(yè)鏈人士稱，SK海力士與美光科技已同步以相近幅度完成一季度供貨合同談判，全球三大DRAM原廠協(xié)同提價(jià)格局已然成型。市場(chǎng)普遍預(yù)期，2026年二季度DRAM與NAND Flash價(jià)格仍將延續(xù)上行趨勢(shì)，盡管環(huán)比漲幅或有所收窄，但價(jià)格中樞系統(tǒng)性抬升的方向已不可逆轉(zhuǎn)。

除了海外漲價(jià)之外，近期多家功率半導(dǎo)體廠商發(fā)布漲價(jià)函，無(wú)錫新潔能股份有限公司宣布將對(duì)MOSFET產(chǎn)品漲價(jià)10%起，并于3月1日起生效。行業(yè)迎來(lái)新一輪全面漲價(jià)潮，市場(chǎng)關(guān)注度提升。

瀾起科技和兆易創(chuàng)新均出現(xiàn)上漲

瀾起科技是DDR5 RCD、MDB及CKD芯片國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)牽頭制定者，穩(wěn)居全球內(nèi)存接口芯片三大供應(yīng)商之列。弗若斯特沙利文報(bào)告顯示，按2024年銷售額計(jì)，公司為全球最大的內(nèi)存互連芯片供應(yīng)商、第二大PCIe Retimer供應(yīng)商。

兆易創(chuàng)新是中國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋存儲(chǔ)器、微控制器和傳感器。在存儲(chǔ)領(lǐng)域中，公司是國(guó)內(nèi)Nor Flash的龍頭企業(yè)，同時(shí)也在積極布局DRAM和NAND Flash市場(chǎng)。

國(guó)金證券認(rèn)為，半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)與自主可控共振，國(guó)產(chǎn)化空間廣闊。存儲(chǔ)芯片架構(gòu)從2D向3D深層次變革，隨著3D DRAM技術(shù)引入以及NAND堆疊層數(shù)向5xx層及以上演進(jìn)，制造工藝中對(duì)高深寬比刻蝕及先進(jìn)薄膜沉積的要求呈指數(shù)級(jí)提升，相關(guān)設(shè)備廠商將深度受益于工藝復(fù)雜度提升帶來(lái)的紅利。