財(cái)聯(lián)社2月9日訊（編輯 周子意）三星電子或?qū)⒂诒驹孪卵_始向英偉達(dá)交付其高帶寬存儲(chǔ)芯片HBM4，這將標(biāo)志著全球首次HBM4大規(guī)模量產(chǎn)和出貨。

業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星電子已決定在即將到來的農(nóng)歷新年假期（2月17日為農(nóng)歷初一）之后開始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4產(chǎn)品。

據(jù)相關(guān)官員稱，三星電子已完成英偉達(dá)HBM4的認(rèn)證流程，并根據(jù)英偉達(dá)新的人工智能加速器（包括Vera Rubin平臺(tái)）的發(fā)布計(jì)劃，確定了交付時(shí)間表。

英偉達(dá)預(yù)計(jì)將在即將舉行的GTC 2026大會(huì)上展示其下一代搭載三星HBM4的人工智能計(jì)算平臺(tái)Vera Rubin。該大會(huì)定于3月16日至19日舉行。

英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛在上個(gè)月的CES 2026展會(huì)上表示，Vera Rubin已全面投入生產(chǎn)，這使得人們期待該平臺(tái)將在2026年下半年推出。

領(lǐng)先行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

三星電子的HBM4在性能上實(shí)現(xiàn)了對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的大幅超越，已超出行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)，被選入用于英偉達(dá)下一代人工智能平臺(tái)。

在制造工藝上，三星在DRAM單元芯片上采用了1c工藝（第六代10納米級(jí)DRAM技術(shù)），而基板芯片則采用4納米代工廠工藝。

憑借這一工藝組合，三星HBM4的數(shù)據(jù)處理速度達(dá)到11.7千兆比特每秒（Gbps），超出JEDEC標(biāo)準(zhǔn)8 Gbps約37%，較上一代HBM3E的9.6 Gbps快22%。單堆棧存儲(chǔ)帶寬達(dá)到3 TB/s，是上一代產(chǎn)品的2.4倍。采用12層堆疊技術(shù)可提供36 GB容量，未來若采用16層堆疊，容量可擴(kuò)展至48 GB。

在這種背景下，三星與其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士之間在向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4芯片方面的競(jìng)爭(zhēng)預(yù)計(jì)將會(huì)加劇。SK海力士的HBM4芯片采用的是該公司第五代1b DRAM工藝，并用臺(tái)積電12納米邏輯芯片晶圓制造工藝來生產(chǎn)基板芯片。

值得一提的是，三星此次量產(chǎn)時(shí)間表的落地，使三星在與SK海力士等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的角逐中占得先機(jī)。行業(yè)消息人士稱，“三星電子擁有全球最大產(chǎn)能和最廣泛產(chǎn)品線，通過率先量產(chǎn)性能最高的HBM4證明了其技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力?；诖耍菊幱谝I(lǐng)市場(chǎng)的最有利位置。”

也有業(yè)內(nèi)消息人士稱，SK海力士可能會(huì)提供更大的供應(yīng)量，因?yàn)槿藗兤毡檎J(rèn)為其生產(chǎn)穩(wěn)定性更高，而三星則希望通過性能優(yōu)勢(shì)在市場(chǎng)中搶占先機(jī)。