《科創(chuàng)板日報》2月2日訊（記者 郭輝） A股滬市首份2025年度年報出爐，科創(chuàng)板半導(dǎo)體公司芯導(dǎo)科技“拔得頭籌”。

芯導(dǎo)科技披露，2025年度該公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入3.94億元，較上年同期增長11.52%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.06億元，較上年同期減少4.91%；實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤6888.64萬元，較上年同期增長17.54%。

關(guān)于業(yè)績變動原因，芯導(dǎo)科技表示，2025年，消費(fèi)電子市場整體保持增長態(tài)勢，該公司抓住市場的有利因素，采取有效的銷售策略，鞏固現(xiàn)有市場份額，拓展新市場；同時，積極推進(jìn)產(chǎn)品更新迭代，加強(qiáng)供應(yīng)鏈的合作及開發(fā)，2025年公司功率器件產(chǎn)品銷量增加，其中生態(tài)鏈產(chǎn)品與核心業(yè)務(wù)形成強(qiáng)力協(xié)同使得銷量同步增長，SGT MOS擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容，并逐步實(shí)現(xiàn)批量出貨。多項(xiàng)因素驅(qū)動下，芯導(dǎo)科技主營業(yè)務(wù)收入實(shí)現(xiàn)增長。

在功率器件方面，2025年，芯導(dǎo)科技密集發(fā)布了總計150余款功率器件新品。其中包括發(fā)布保護(hù)器件ESD、TVS等70余款，獲得頭部客戶廣泛認(rèn)可；發(fā)布功率器件MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiCSBD等80余款，高壓GaN HEMT技術(shù)平臺、低壓GaN HEMT技術(shù)平臺，高壓平面型SiCMOS技術(shù)平臺、SiC JBS結(jié)勢壘技術(shù)平臺等進(jìn)一步完善，產(chǎn)品系列日益豐富；40V低壓雙向GaN產(chǎn)品達(dá)到國際前沿水平，實(shí)現(xiàn)多個項(xiàng)目量產(chǎn)出貨，獲得高端消費(fèi)電子市場認(rèn)可。

得益于更高的性價比，芯導(dǎo)科技表示，上述產(chǎn)品在PD快充電源、移動電源及家用 AI 智能機(jī)器人等目標(biāo)市場的占有率實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步擴(kuò)大。

產(chǎn)業(yè)整合也是芯導(dǎo)科技2025年經(jīng)營發(fā)展的一大關(guān)鍵詞。芯導(dǎo)科技在其財報中表示，其關(guān)注在技術(shù)、產(chǎn)品及業(yè)務(wù)層面與其具有較高協(xié)同效應(yīng)的優(yōu)質(zhì)資源，聚焦于汽車電子、風(fēng)光儲充等應(yīng)用領(lǐng)域的相關(guān)標(biāo)的，積極挖掘投資并購機(jī)會，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局。

2025年，芯導(dǎo)科技通過發(fā)行可轉(zhuǎn)債形式募資，推進(jìn)收購瞬雷科技、吉瞬科技事項(xiàng)。

2月2日晚，芯導(dǎo)科技發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金的報告書草案發(fā)布。據(jù)了解，上述標(biāo)的擁有獨(dú)立自主的生產(chǎn)工廠，可以實(shí)現(xiàn)從晶圓研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造到成品封裝測試的完整生產(chǎn)環(huán)節(jié)，并且在汽車電子、安防儀表、民爆化工、工業(yè)等多個下游應(yīng)用領(lǐng)域建立了穩(wěn)固的客戶基礎(chǔ)和銷售渠道。

芯導(dǎo)科技表示，本次交易完成后，將能夠借助設(shè)計與制造的協(xié)同效應(yīng)，加強(qiáng)供應(yīng)鏈管控能力，更好地進(jìn)行資源統(tǒng)籌，進(jìn)一步提升產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率與成本效益，有利于公司實(shí)現(xiàn)從Fabless到Fab-lite模式的發(fā)展戰(zhàn)略，同時拓展優(yōu)質(zhì)客戶資源。

芯導(dǎo)科技2月2日晚間同步發(fā)布2025年度利潤分配方案，擬每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利人民幣4.30元（含稅），合計擬派發(fā)現(xiàn)金紅利5056萬元，占2025年度歸母凈利潤的47.64%。

截至2026 年 2 月 2 日收盤，芯導(dǎo)科技（688230.SH）總市值為86.88 億元。