①臺(tái)積電第四季度利潤(rùn)同比增長(zhǎng)35%,超出預(yù)期并創(chuàng)下新高,隔夜美股芯片股在臺(tái)積電亮眼財(cái)報(bào)推動(dòng)下上漲。 ②國(guó)金證券指出,AI大模型驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)向3D化演進(jìn),疊加長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存等擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)新一輪高速增長(zhǎng)機(jī)遇。
臺(tái)積電第四季度利潤(rùn)同比增長(zhǎng)35%,超出預(yù)期并創(chuàng)下新高,并且這是臺(tái)積電連續(xù)第八個(gè)季度實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)。臺(tái)積電預(yù)計(jì),2026年資本支出520億美元至560億美元。
隔夜美股芯片股在臺(tái)積電亮眼財(cái)報(bào)推動(dòng)下上漲,應(yīng)用材料、阿斯麥漲超5%,臺(tái)積電漲超4%。
全球半導(dǎo)體設(shè)備正步入新一輪擴(kuò)張周期。SEMI預(yù)計(jì)2025年全球晶圓制造設(shè)備銷(xiāo)售額將同比增長(zhǎng)13.7%至1,330億美元,并在2026-2027年繼續(xù)創(chuàng)新高,核心驅(qū)動(dòng)力來(lái)自先進(jìn)邏輯/存儲(chǔ)與先進(jìn)封裝的AI投資擴(kuò)張。國(guó)金證券指出,AI大模型驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)向3D化演進(jìn),疊加長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存等擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)新一輪高速增長(zhǎng)機(jī)遇。根據(jù)泛林半導(dǎo)體測(cè)算,在此輪技術(shù)迭代中,刻蝕與薄膜沉積等關(guān)鍵設(shè)備的市場(chǎng)有望分別實(shí)現(xiàn)1.7倍及1.8倍的顯著增長(zhǎng),相關(guān)設(shè)備廠商將深度受益于工藝復(fù)雜度提升帶來(lái)的紅利。
據(jù)財(cái)聯(lián)社主題庫(kù)顯示,相關(guān)上市公司中:
精測(cè)電子始終與有關(guān)存儲(chǔ)客戶(hù)保持密切且良好的合作關(guān)系,公司電子束設(shè)備已取得國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程重復(fù)性訂單。
中微公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域(包含高寬帶存儲(chǔ)器HBM工藝)全面布局,包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測(cè)設(shè)備等,且已經(jīng)發(fā)布CCP刻蝕及TSV深硅通孔設(shè)備。

